亞90納米CMOS器件PSP建模技術和參數提取的研究.pdf

1、隨著高密度整合所產生的系統(tǒng)復雜性的提高,在超大規(guī)模集成電路設計中,一種帶有精確器件模型的有效電路仿真器變得越來越不可或缺。對于所有在一個大范圍的器件上操作的模型,必須有一個完整的器件模型能夠預知器件的特性。雖然以BSIM4為代表的半經驗模型完全保留了物理模型的基本功能形式,而且用帶有擬和參數的經驗公式來代替經典公式從而解決了小的幾何效應和二次工藝誤差。但是隨著器件尺寸朝著90nm,甚至更小尺寸發(fā)展時,BSIM4模型已經無法處理日益增加的

2、模擬和射頻電路的應用。因此需要有更先進的建模解決方案---基于表面勢的PSP模型。本論文基于90nm工藝的電性數據,針對標準CMOS器件的物理效應,通過以下工作來對PSP模型建模技術和參數提取進行新的探索。首先,概述了CMOS器件的基本物理效應,與此同時,對一些新近發(fā)現的物理效應進行重點介紹。其次,對PSP模型理論進行歸納研究,為接下來的參數提取建立一個理論基礎。另外在本文中還會討論測試結構設計以及數據測試的內容,這對于建立一個完整、準