CMOS射頻集成電路中無源器件頻變參數(shù)提取的研究.pdf

1、隨著無線通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，人們對無線通信產(chǎn)品在尺寸、速度、功耗、價格上提出了越來越高的要求。傳統(tǒng)的微波射頻集成電路都是建立在GaAs工藝上，不過成本的高居不下嚴(yán)重影響了市場的推廣；近年來在市場的推動下，由于CMOS工藝的成本低、集成度高等優(yōu)勢，加之工藝和技術(shù)的不斷進(jìn)步，硅基射頻集成電路的研究已成為產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界關(guān)注的熱點。無源器件作為射頻集成電路中不可缺少的部件，受到越來越多的關(guān)注。隨著系統(tǒng)工作頻率和系統(tǒng)性能要求的提高，對于無源器件的性能

2、和模型精度的要求也越來越高。 論文主要研究基于CMOS工藝的射頻集成電路中無源器件的頻變特性，包括片上互連線與片上變壓器的建模與參數(shù)提取。 首先從一般互連傳輸線結(jié)構(gòu)入手，分析了片上互連線的串聯(lián)阻抗與并聯(lián)導(dǎo)納，并且實驗驗證了片上互連線在超寬帶范圍內(nèi)的等效電路模型，考慮傳輸線邊緣臨近效應(yīng)對信號傳輸?shù)挠绊?，提出了新型互連線結(jié)構(gòu)。此外還研究了片上非對稱耦合傳輸線的電路模型，提出了相關(guān)改進(jìn)算法并加以推廣。 對于片上變壓器，