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文檔簡介
1、體硅CMOS技術(shù)始終是硅微電子技術(shù)的主流，隨著CMOS技術(shù)進(jìn)入深亞微米乃至納米時代，如何利用微米工藝實現(xiàn)納米器件，成為Si工藝技術(shù)的研究熱點。本文從以下四方面對此進(jìn)行了研究。 在CMOS常用薄膜材料的生長刻蝕方面，研究了SiO2，Si3N4，SiON，Poly-Si，Al等的刻蝕技術(shù)，并重點研究了常用材料干法刻蝕和濕法刻蝕的工藝條件；在微米工藝實現(xiàn)納米級CMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，深入研究了利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)制備超細(xì)柵線條、RTA固相
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