版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、互補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)器件尺寸進(jìn)入深亞微米以后,傳統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的短溝道效應(yīng)(Short Channel Effects,SCEs)造成的器件性能退化越來越嚴(yán)重。國(guó)內(nèi)外提出了許多新的器件結(jié)構(gòu)和改進(jìn)方法來抑制器
2、件的短溝道效應(yīng),提高器件的性能和工作效率。其中雙材料柵(Dual Material Gate,DMG)結(jié)構(gòu)和雙介質(zhì)(Dual Insulator,DI)柵結(jié)構(gòu)是通過改變溝道內(nèi)的電勢(shì)和電場(chǎng)分布的方法,能夠同時(shí)抑制短溝道效應(yīng)和提升載流子輸運(yùn)效率的新結(jié)構(gòu)。
本論文將DMG結(jié)構(gòu)應(yīng)用于體硅魚鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Bulk-Fin Field-Effect Transistor, Bulk-FinFET)結(jié)構(gòu),提出了一種新的器件結(jié)構(gòu) DMG-
3、Bulk-FinFET。并且用三維仿真軟件DAVINCI模擬比較了新結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的體硅FinFET結(jié)構(gòu)的性能,驗(yàn)證了新結(jié)構(gòu)的可行性以及比起傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)在抑制漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)(Drain-Induced-Barrier-Lowering,DIBL),提高輸出電流和跨導(dǎo)等性能方面的優(yōu)勢(shì)。通過比較 DMG結(jié)構(gòu)的兩種材料柵長(zhǎng)比例和功函數(shù)差值這兩個(gè)重要參數(shù)對(duì)器件各方面性能的影響,設(shè)計(jì)了DMG結(jié)構(gòu)應(yīng)用在體硅FinFET上時(shí)最優(yōu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)。
本論
4、文還求解了雙介質(zhì)雙柵MOSFET(Dual Insulator-Double Gate MOSFET,DI-DG MOSFET)結(jié)構(gòu)的表面電勢(shì)模型。在電勢(shì)模型的基礎(chǔ)上,利用閾值電壓的物理意義給出了閾值電壓的求解方程,并解得通用的閾值電壓表達(dá)式和長(zhǎng)溝閾值電壓表達(dá)式。比較二維仿真軟件MEDICI的模擬結(jié)果和模型解析結(jié)果,驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。分析了DI-DG MOSFET器件的不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)DI-DG MOSFET器件的溝道表面電勢(shì)和閾值電壓
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 應(yīng)變硅MOS器件閾值電壓模型研究.pdf
- 無結(jié)晶體管閾值電壓模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- SOI薄膜(FD)器件模擬技術(shù)—深亞微米全耗盡SOIMOSFET閾值電壓模型及新器件結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)GaAs MOS器件閾值電壓模型及界面特性研究.pdf
- 考慮量子效應(yīng)的納米MOS器件閾值電壓及柵電容的建模與模擬.pdf
- 高壓PMOS器件閾值電壓穩(wěn)定性改善工藝研究.pdf
- Si基Ge溝道MOSFET閾值電壓模型研究.pdf
- 小尺寸MOS器件閾值電壓的三維建模與仿真研究.pdf
- 硅納米線晶體管閾值電壓提取技術(shù)研究.pdf
- 小尺寸MOSFET閾值電壓模型及高k柵介質(zhì)研究.pdf
- 高壓VDMOS閾值電壓的工藝優(yōu)化.pdf
- 小尺寸MOSFET閾值電壓模型及高k柵介質(zhì)制備.pdf
- 考慮源漏電場(chǎng)的準(zhǔn)二維MOSFET閾值電壓模型.pdf
- 可調(diào)制閾值電壓的相變異質(zhì)結(jié).pdf
- 基于變分法的準(zhǔn)二維MOSFET閾值電壓的解析模型.pdf
- 氮化鎵基HFET低溫歐姆接觸和閾值電壓研究.pdf
- 基于ZnO薄膜的低閾值電壓壓敏電阻.pdf
- 同質(zhì)復(fù)合柵MOSFET閾值電壓及電阻溫度效應(yīng)的研究.pdf
- 多晶硅薄膜晶體管閾值電壓模型和寄生電阻提取方法.pdf
- 柵極的再氧化對(duì)EEPROM閾值電壓的影響及可控研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論