2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文納米CMOS器件的量子化效應(yīng)研究姓名：王瑾申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：劉紅俠20080101Abstract一_。———————————————————————————————————————————————————————一AbstractWiththedevelopmentofICprocess，thechannellengthofCMOSdevicesisscalingdown

2、，allkindsofsmallsizeeffectsincludingsmallchanneleffect(SCE)andquantizationeffect(QE)havemoleandmoreseriouseffectsondeviceperformanceandreliabilityFacingtheexistingofSCEandQEinnanometerCMOSdevices，relevantresearchesarecar

3、riedoninthethesisFirstlv，thecauseofSCEanditsinfluenceonnanometerCMOSdevicesareanalyzedThestudyresultsindicatethatSCEinducethethresholdvoltagedecrease，subthresholdswingincrease，anditiseasytomakedevicefailureInordertestrai

4、ntheinfluenCeofSCE，twomethods，doingnon—uniformchanneldopingandlookingfornewdevicestructures，aresummarizedThetheoryanalysisanddatacomparisonshowthatthesemethodsareobviousinsuppressingSCESecondlytheinfluencesofQEontheperfo

5、rmanceofnanometerCMOSdevicesarepresentedbythetheoryanalysisandformuladerivation，thesemainparametersincludethresholdvoltage，carriertransport，gateoxidetunnelingcurrent，gatedielectriccapacitanceandmobilityTheinfluenceofQEon

6、thresholdvoltageisdiscussedindetailsBvthequantizationmodificationtoatraditionalthresholdvoltagemodel，thethresholdvoltagemodelwhichtakesintoaccount2DQEisgottenBycomparingitwithexperimentalmeasurements，theresultsrevealthat

7、themodifiedmodelfitstheexperimentalresultverywellSubsequentlytheSCEandQEcouplingeffectsandindependentSCEeffectsonthresholdvoltageofnanometerCMOSdevicesarepresented，itisfoundthatQEmakesthereducingrateofthresholdvoltageind

8、ucedbySCEdelayandwiththeincreasingconcentrationofsubstratedoping，QEplaysamoreandmoreimportantrolegraduallyFinallythreesolidquantumelectronicdeviceswhichmaybehavebroadapplicationsarepresentedbrieflyKeyword：nanometerscaleC

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