已閱讀1頁,還剩52頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、隨著航天電子技術的發(fā)展,空間環(huán)境和電子技術的關系越來越密切。輻照會導致器件性能的退化,甚至是徹底的失效??倓┝啃菍е缕骷阅芡嘶闹饕椪招?。
本文主要針對超深亞微米CMOS器件的總劑量效應進行了實驗研究,實驗結果表明:環(huán)柵器件具有很好的抗輻照特性;總劑量效應對直柵NMOS器件直流特性的影響較為嚴重,會導致器件的關態(tài)泄漏電流增大,使器件和電路的靜態(tài)功耗增加。
在實驗分析的基礎上建立了直柵MOS器件總
2、劑量效應模型。在模型中考慮了界面態(tài)不均勻分布、襯底摻雜分布、陷阱電荷不均勻分布、STI區(qū)角度以及源漏結深的影響。應用建立的模型預測各種電路模塊的輻照特性,包括:電阻負載反相器、環(huán)形振蕩器、開關電路和傳輸門電路。預測結果表明:總劑量效應基本不會引起組合邏輯電路的邏輯錯誤,但會增加電路的靜態(tài)功耗;總劑量效應對開關電路的影響較為嚴重,會導致電路失效。
對環(huán)柵器件進行建模,并將該模型嵌入到商用模型BSIM3V3中,便于電路仿真。對
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 超深亞微米PMOSFET器件NBTI研究.pdf
- 超深亞微米MOS器件RTS噪聲研究.pdf
- 超深亞微米SiGe SOI MOSFETs的特性研究.pdf
- 超深亞微米CMOS器件ESD可靠性研究.pdf
- 超深亞微米MOSFET器件中熱載流子效應的研究.pdf
- 深亞微米應變硅器件的模擬研究.pdf
- 超深亞微米CMOS器件GIDL電流及其可靠性研究.pdf
- 超深亞微米器件單粒子輻射新效應的物理機理研究.pdf
- 深亞微米靜電防護器件原理與性能研究.pdf
- 超深亞微米PMOSFET的NBTI效應研究.pdf
- 超深亞微米MOS器件單粒子翻轉截面計算方法研究.pdf
- 深亞微米MOS器件熱載流子可靠性的物理建模.pdf
- 超深亞微米PMOSFET中的NBTI研究.pdf
- 深亞微米RF-CMOS器件物理與模型研究.pdf
- 超深亞微米集成電路可靠性設計與建模方法.pdf
- 超深亞微米LDD MOSFET器件模型及熱載流子可靠性研究.pdf
- 深亞微米抗輻照EEPROM單元及ESD設計.pdf
- 超深亞微米器件的二維雜質濃度分布的提取.pdf
- 深亞微米LDD MOSFET器件熱載流子效應研究.pdf
- 深亞微米GGNMOS的ESD防護特性研究.pdf
評論
0/150
提交評論