90nm SRAM光刻技術(shù)引入與改進(jìn).pdf

1、光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的設(shè)計(jì)圖形傳輸?shù)焦杵先?，從而為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好阻擋層，其原理和照相機(jī)類似。光刻的成本大約占整個(gè)硅片制造工藝的1/3左右，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的40～60％。
　　同時(shí)光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)臺(tái)，8寸代工廠的光刻機(jī)就已達(dá)到5～15百萬(wàn)美元/臺(tái)。最主要的成本是在成像系統(tǒng)（由15～20個(gè)直徑為200～300mm的透鏡組成）和定位系統(tǒng)（定位精度小于1

2、0nm）。透鏡的工藝精度要求非常高，而且有專門的公司生產(chǎn)。于此同時(shí)其折舊速度非?？欤酆舷聛?lái)大約3～9萬(wàn)人民幣/天，而且隨著工藝節(jié)點(diǎn)的越先進(jìn)，其成本越高，所以也稱之為印鈔機(jī)。光刻部分的主要機(jī)臺(tái)包括兩部分:軌道機(jī)(Tracker)，用于涂膠顯影以及烘烤;掃描曝光機(jī)(Scanning)。光刻工藝的要求為，光刻機(jī)臺(tái)需要具有有高的分辨率;光刻膠具有高的光學(xué)敏感性;準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn);低的缺陷密度等。
　　同時(shí)對(duì)于代工廠來(lái)說(shuō)，由于客戶成本，功耗等原

3、因，需要不斷的降低關(guān)鍵尺寸(CD，criditle-dimensions)，因此在即0.13um，0.11um工藝相繼量產(chǎn)后，研發(fā)90nm工藝變?yōu)橹刂兄兀疚哪康脑谟谡碓?0nm工藝研發(fā)過(guò)程中遇到的一些問(wèn)題和挑戰(zhàn)以及解決方法，為將來(lái)更小關(guān)鍵尺寸研發(fā)提供參考及借鑒。同時(shí)，即使是90nm工藝，很多l(xiāng)ayer并不要求90nm左右CD，出于成本和產(chǎn)能考量，大部分layer可以在DUV(248nm波長(zhǎng))以及MUV(365nm波長(zhǎng))生產(chǎn)，但是有