Logic 90nm技術(shù)淺溝道隔離制程的研究和改進(jìn).pdf

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文Logic90nm技術(shù)淺溝道隔離制程的研究和改進(jìn)姓名：何德飚申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：張衛(wèi)陳昱升20070331復(fù)旦大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要隨著IC制造技術(shù)的快速發(fā)展，可量產(chǎn)的CMOS技術(shù)，其特征線寬也由013urn進(jìn)入了90nm甚至65nm及以下。本文針對(duì)90nm邏輯器件淺溝道隔離制程存在的問(wèn)題，如有源區(qū)特征尺寸的控制、硅溝槽深度的均勻性的控制和硅溝槽的填充等開(kāi)展了深入的研究通過(guò)引進(jìn)波長(zhǎng)為193nm

2、的曝光機(jī)和功能強(qiáng)大的蝕刻機(jī)臺(tái)Lain2300，成功地解決了有源區(qū)特征尺寸的控制和硅溝槽均勻性控制的問(wèn)題。有源區(qū)特征尺寸可以控制在3sigma6nm，硅溝槽均勻性可以控制在range=100埃左右。與此同時(shí)，我們用實(shí)驗(yàn)證明了硅溝槽深度對(duì)隔離性能的影響。通過(guò)引進(jìn)新的I12HDPCVD技術(shù)，我們也完美地解決了硅溝槽填充的問(wèn)題。硅溝槽的填充能力可以達(dá)到01m，實(shí)際上我們只要求達(dá)到013um。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)研究了離子注入制程對(duì)淺溝道隔離性能的影響。

3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：阱和源漏極離子注入制程對(duì)淺溝道隔離性能有很大的影響。對(duì)隔離起作用的pn結(jié)的反向擊穿性能決定著隔離所能達(dá)到的最好效果，所以pn結(jié)的設(shè)計(jì)是淺溝道隔離性能能夠做好的前提。優(yōu)化了淺溝道隔離制程。包括阱曝光制程的優(yōu)化、S11CMP制程的優(yōu)化、設(shè)計(jì)新的Dummy規(guī)則和提高STICMP制程均勻性與平坦度。我們發(fā)現(xiàn)阱的曝光制程對(duì)淺溝道隔離的影響越來(lái)越大，通過(guò)把阱的曝光制程從原來(lái)的Iline制程換為DUV制程，使阱的曝光制程得到了很好的控制