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文檔簡介
1、本文對90mn后段銅互連制程相關(guān)可靠性進行了探討。本研究選用介電常數(shù)比較小(K=4)的二氧化硅，在SiCN和銅互連線之間增加一層二氧化硅。實驗結(jié)果顯示由覆蓋著二氧化硅樣品的耐擊穿電壓要比沒有覆蓋二氧化硅樣品的耐擊穿電壓要高15V左右。文章研究了SiCN薄膜沉積之前的He處理對耐擊穿電壓的影響。在SiCN 薄膜沉積之前通入He形成等離子體，對樣品表面進行轟擊，可以提高介質(zhì)表面的粗糙度，提高SiCN 和低K介質(zhì)(BD)之間的粘附性能。而且H
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