基于65nm工藝新型SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì).pdf

1、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static random access memory，SRAM)具有可靠性高、存取速度快及能夠和邏輯電路相兼容的特點(diǎn)，使得它在高性能處理器和片上系統(tǒng)(system on chip，SOC)結(jié)構(gòu)中占據(jù)了重要的地位。對(duì)SRAM存儲(chǔ)單元的研究具有十分重要的意義。
　　本文以低功耗、高穩(wěn)定性和較好的讀寫能力的SRAM存儲(chǔ)單元為設(shè)計(jì)目標(biāo)，提出了一種新型SRAM十二管存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，和傳統(tǒng)SRAM單元相比，新型存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)提高

2、了寫裕度，讀穩(wěn)定性，同時(shí)解決了半選問(wèn)題。本文主要研究工作如下:
　　首先研究了傳統(tǒng)六管、四管、七管和八管存儲(chǔ)單元，分析了它們?cè)谧x、寫和保持狀態(tài)下工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。并對(duì)他們的性能做了簡(jiǎn)單對(duì)比，從結(jié)構(gòu)上給出了性能差異的原因。
　　其次，隨著工藝制程技術(shù)提高、電源電壓的下降以及存儲(chǔ)容量的增大，SRAM存儲(chǔ)單元的軟錯(cuò)誤率越來(lái)越高，SRAM存儲(chǔ)陣列在設(shè)計(jì)中廣泛采用了位交錯(cuò)技術(shù)來(lái)解決軟錯(cuò)誤問(wèn)題，但是位交錯(cuò)結(jié)構(gòu)會(huì)帶來(lái)半選問(wèn)題。本文分析半選