65nm NOR Flash工藝整合技術(shù)研究.pdf

1、1984年，東芝公司發(fā)明人Fujio Masuoka提出了快速閃存存儲(chǔ)器這一概念。1988年Intel首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)后，閃存存儲(chǔ)器其具有功耗低，讀寫快，容量大，成本低等優(yōu)點(diǎn)，使得NOR和NAND成為了目前市場(chǎng)上兩種主要的閃存產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)。隨著消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的尺寸的要求越來越高，功能越來越強(qiáng)，越來越多，由此對(duì)加快提升芯片整合技術(shù)的能力，用來提高產(chǎn)品性價(jià)比成了目前制造業(yè)的主要任務(wù)和挑戰(zhàn)。同時(shí)也帶動(dòng)了浮柵結(jié)

2、構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器NOR Flash記憶體芯片的迅速成長(zhǎng)。
　　一直以來，半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展都遵循著著名的Moore定律。即硅芯片集成的晶體管數(shù)目，每過18個(gè)月就會(huì)翻一倍。微電子器件尺寸都按比例在縮小，它帶動(dòng)了整個(gè)電子裝備向小型化的方向發(fā)展。目前，業(yè)界對(duì)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)趨勢(shì)主要是集中在兩個(gè)方面，一方面是，研發(fā)應(yīng)用新機(jī)理、新材料和新結(jié)構(gòu)的全新存儲(chǔ)技術(shù);另一方面是，繼續(xù)研發(fā)和改進(jìn)發(fā)展主流的Flash存儲(chǔ)技術(shù)，盡可能的向更小節(jié)

3、點(diǎn)推進(jìn)。
　　NOR Flash現(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)開始進(jìn)入了45nm NOR Flash的技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)代了，65nm NOR Flash大規(guī)模量產(chǎn)成為了現(xiàn)在市場(chǎng)的迫切需求。對(duì)制造行業(yè)來說要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)有很多的挑戰(zhàn)，需要不斷提升工藝的潛能來達(dá)到最大化的良率。本課題選擇了65nm NOR Flash技術(shù)，進(jìn)行了整合工藝的研究。
　　本論文共分五章，首先大體上介紹存儲(chǔ)器的發(fā)展和現(xiàn)狀，然后對(duì)NOR Flash的基本結(jié)構(gòu)和工作原理以及NOR Fl