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文檔簡介
1、磷酸二氫銨(NH4H2PO4,簡稱ADP)晶體是磷酸二氫鉀(KH2PO4,簡稱KDP)類晶體的一種,具有優(yōu)良的鐵電、壓電和電光性能,易于長成大尺寸高質(zhì)量的晶體,廣泛應(yīng)用于制作光學元件、激光器上的諧波發(fā)生器和Q開關(guān)等。
晶體質(zhì)量是晶體應(yīng)用的前提和基礎(chǔ),影響晶體生長質(zhì)量的因素有很多,探索提高晶體質(zhì)量的理論方法和技術(shù)方案一直是晶體學領(lǐng)域的研究熱點。過飽和度是決定晶體生長速度、影響晶體生長穩(wěn)定性和晶體質(zhì)量的一個關(guān)鍵參數(shù),因此,確定
2、適合ADP晶體快速生長的最佳過飽和度對該晶體的生長具有重要意義。
本文從理論上討論了一定溫度下適合ADP晶體快速生長的過飽和度范圍。配置不同濃度的ADP飽和溶液,采用水溶液降溫法生長晶體,觀察了不同過飽和度下ADP晶體的生長現(xiàn)象,分析了過飽和度對晶體生長習性的影響,并對生長出的晶體進行質(zhì)量測試,采用金相顯微鏡,同步輻射等手段對晶體中的位錯、散射顆粒等缺陷進行了分析,采用差熱和熱重分析研究了過飽和度對晶體熱性質(zhì)的影響,明確了
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