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文檔簡介
1、近年來隨著便攜式設(shè)備的普及,人們對(duì)芯片的速度和功耗提出更加苛刻的要求。因此,高速低功耗設(shè)計(jì)成為主要的研究熱點(diǎn)和和重點(diǎn),研究各種高速低功耗的電路結(jié)構(gòu)是其中的一種方法之一。其中,電流模邏輯結(jié)構(gòu)電路由于其在高速系統(tǒng)中具有低功耗的優(yōu)勢(shì),而引起廣泛的關(guān)注。電流模邏輯結(jié)構(gòu)可分為雙軌和單軌兩種結(jié)構(gòu),它們的共同特點(diǎn)是抗干擾能力強(qiáng),功耗不因頻率變化而變化,和頻帶寬。與雙軌結(jié)構(gòu)相比,單軌結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)相同邏輯功能時(shí)需要的MOS管數(shù)目少和面積?。徊⑶疫B線相對(duì)簡單
2、。
在當(dāng)今數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中,基于標(biāo)準(zhǔn)單元庫的設(shè)計(jì)方法占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。標(biāo)準(zhǔn)單元的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的好壞。標(biāo)準(zhǔn)單元的數(shù)據(jù)在整個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)流程中占著主導(dǎo)和支撐的地位,開發(fā)高性能的標(biāo)準(zhǔn)單元有著重要的意義。在同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)要想獲得高速低功耗性能的系統(tǒng),并且縮短開發(fā)周期,研究電流模標(biāo)準(zhǔn)單元庫無非是最直接的方法。但由于雙軌電流模邏輯電路單元差分輸入的特點(diǎn)而不能特征化與綜合,所以電流模邏輯標(biāo)準(zhǔn)單元庫的實(shí)現(xiàn)只能采用單軌結(jié)構(gòu)。
首先
3、,本文介紹了單軌電流模邏輯標(biāo)準(zhǔn)單元庫的建庫方法和流程;其次,討論了單軌電流模標(biāo)準(zhǔn)單元庫的在設(shè)計(jì)高速低功耗系統(tǒng)中的意義;然后,具體介紹單軌電流模標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)技術(shù),在 SMIC 130nm 工藝基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)單軌電流模標(biāo)準(zhǔn)單元,為專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit--ASIC)設(shè)計(jì)提供支撐。
根據(jù)建庫的流程,本課題可以劃分為以下幾個(gè)部分:
1、研究和分析 SMIC 1
4、30nm工藝的技術(shù)參數(shù),設(shè)計(jì)單軌電流模邏輯電路并對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)性能的最優(yōu)化;
2、對(duì)電路進(jìn)行版圖繪制。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)單元繪制規(guī)則,確定單元的高度、最小寬度、電源金屬寬度、走線間距等規(guī)則,并且 PIN 必須要在間距交叉點(diǎn)上,標(biāo)準(zhǔn)單元寬度必須為金屬 2間距的整數(shù)倍;
3、抽象庫的設(shè)計(jì)。使用 Candence的Abstract抽取物理庫—用于布局布線,主要抽取單元的金屬層和引腳等;
4、時(shí)序庫設(shè)計(jì)。使用 Cal
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