青霉素誘發(fā)發(fā)育期大鼠反復驚厥對學習記憶功能的遠期影響及機制探討.pdf

1、目的： 建立發(fā)育期大鼠青霉素點燃模型，觀察青霉素點燃幼齡大鼠模型的空間學習記憶能力。探討發(fā)育期大鼠反復驚厥對學習、記憶能力和海馬突觸后致密物CaMK Ⅱ表達的遠期影響。 方法： 生后29d(P29)的SD大鼠隨機分為青霉素點燃模型組(RS組，n=22)及生理鹽水對照組(NS組，n=10)。RS組隔日腹腔注射青霉素560萬U/kg體重，連續(xù)6次，NS組以同樣方法腹腔注射生理鹽水。于末次驚厥后進行腦電記錄。分別于P5

2、1～P56、P81～P84、P92～P95進行3次Morris水迷宮實驗，檢測大鼠的學習記憶能力。最后，用原位雜交方法測定了腦內CaMK Ⅱ的表達。 結果： ①腦電圖記錄RS組額葉叢集放電，棘波和尖波陣發(fā)。 ②逃避潛伏期：第1次Moms水迷宮各組潛伏期均呈逐漸下降趨勢，但RS組第5天潛伏期明顯高于NS組，具有顯著性差異(p<0.05);RS組第2次水迷宮測試中第1天潛伏期明顯高于NS組，具有統計學意義；第3次水迷

3、宮第2天的潛伏期仍明顯高于NS組，具有統計學意義。 ③記憶實驗：三次記憶測試平臺象限路徑與總路徑之比，RS組三次記憶測試均明顯低于NS組，有顯著性差異(p<0.01)。RS組大鼠海馬CA3區(qū)、門區(qū)(hilus)及齒狀回(dLenfate gyms)的CaMK Ⅱ灰度值明顯低于NS組，具有顯著性差異。 結論： 青霉素誘導的發(fā)育期大鼠反復驚厥能夠對學習和記憶功能產生遠期的損害，可能與海馬記憶分子CaMK Ⅱ表達下調有