Si-SiC納米復合薄膜與熱蒸發(fā)法制備Si納米線的研究.pdf

1、低維硅基納米材料由于性能優(yōu)越并且可以和現(xiàn)有的硅基平面工藝相兼容而具有很廣泛的應用前景。本文對于兩種低維硅基納米材料——Si/SiC納米復合薄膜和Si納米線分別進行了制備方法、性能和機理的研究。 通過射頻交替濺射或共濺射的兩種方式和后續(xù)的退火制備了Si納米晶鑲嵌在SiC基體中的Si/SiC納米復合薄膜。交替濺射得到的多層膜結構的Si/SiC納米復合薄膜在1200℃以上退火后出現(xiàn)了大約分別位于352 nm的紫外發(fā)射帶和位于468 n

2、m的藍光發(fā)射帶，并且隨著退火溫度的升高增強。高分辨透射電鏡觀察到Si納米晶的形成，傅立葉紅外吸收光譜顯示形成了Si-O-C鍵。分析認為位于468nm的藍光發(fā)射帶是由于退火形成的Si納米晶的量子限制效應導致的，而位于352nm的紫外發(fā)射帶是來自于退火形成的Si-O-C的復雜化合物。共濺射得到的薄膜在退火后出現(xiàn)了紫外發(fā)光峰，推測也有可能是由于退火形成的Si-O-C鍵導致的。 Si納米線是通過對把單晶硅片封閉在一個小區(qū)域中、高溫常壓、