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文檔簡介
1、為了開發(fā)SiC基非紫外光控器件,可用對可見光和近紅外光有較強吸收的Si作為光吸收層構(gòu)成Si/SiC異質(zhì)結(jié)。本文針對制備方法,探索用金屬誘導(dǎo)晶化非晶硅法制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)的可行性,并研究改善Si薄膜結(jié)晶品質(zhì)的方法。
首先利用PECVD系統(tǒng),在SiC襯底上制備a-Si:H薄膜。薄膜的生長溫度區(qū)間為65~300℃,生長時間45min。樣品的紅外吸收譜表明Si-H的組態(tài)為SiH2,且隨著溫度的升高,a-Si:H薄膜中的氫含量減少。
2、紫外可見光分光光度計測試結(jié)果表明在65~300℃的溫度區(qū)間內(nèi),薄膜的淀積速率先減小后增大再減小。由此選定a-Si:H薄膜的生長溫度為250℃,此溫度下a-Si:H薄膜有較小的含氫量且淀積速率較快,45min的薄膜厚度為350nm。
然后,在a-Si:H薄膜上磁控濺射淀積一層Ni金屬薄膜,最后在不同溫度下利用Ni將a-Si:H薄膜誘導(dǎo)晶化成多晶Si薄膜,以制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)。用裸膜和覆蓋有金屬誘導(dǎo)膜的樣品在相同條件(600℃
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