Si-SiC異質(zhì)結(jié)制備工藝優(yōu)化及其特性分析.pdf

1、為了實(shí)現(xiàn)SiC材料在非紫外光控領(lǐng)域的應(yīng)用,拓展SiC大功率電力電子器件的非紫外光觸發(fā)。本課題提出了采用脈沖供源的方法在6H.SiC襯底上使用LPCVD系統(tǒng)淀積Si薄膜。并利用輪廓儀、SEM、XRD、Raman Spectra等現(xiàn)代分析測(cè)試方法對(duì)不同脈沖周期的制備的Si薄膜樣品進(jìn)行表征,研究不同脈沖斷源時(shí)問對(duì)Si薄膜結(jié)晶品質(zhì)的影響。得到以下主要結(jié)果:
　　1.相比連續(xù)供源法,脈沖供源法制備的Si薄膜生長(zhǎng)速率有所降低,但表面形貌有所改

2、善,同時(shí)晶粒尺寸也有增大。
　　2.XRD測(cè)試結(jié)果表明脈沖供源法可以控制薄膜生長(zhǎng)的擇優(yōu)取向當(dāng)脈沖斷源時(shí)間較小時(shí),Si薄膜<220>擇優(yōu)生長(zhǎng),斷源時(shí)間進(jìn)一步增加Si D JJ莫擇優(yōu)生長(zhǎng),斷源時(shí)時(shí)間繼續(xù)增加,薄膜喪失單一擇優(yōu)生長(zhǎng)趨勢(shì)。
　　3.Raman Spectra測(cè)試結(jié)果表明,采用脈沖法且供源時(shí)間為60S,斷源時(shí)間控制在30S,生長(zhǎng)溫度900。C,Hx:SiH4=400:20sccm時(shí)生長(zhǎng)Si薄膜的Raman半峰