2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩54頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、立方氮化硼(cBN)是一種超硬寬帶隙材料,不僅具有僅次于金剛石的硬度、在高溫下有強(qiáng)的抗氧化能力、不易與鐵族金屬反應(yīng),因此可用于切削工具等,而且,能夠?qū)崿F(xiàn)n型或p型摻雜,在電子學(xué)和光學(xué)器件等方面有著重要的應(yīng)用前景。cBN薄膜的制備和性質(zhì)研究一直是國際材料科學(xué)界的研究熱點(diǎn)和難點(diǎn)之一。本文主要研究了高質(zhì)量半導(dǎo)體cBN薄膜的制備以及BN(n-type)/Si(p-type)異質(zhì)結(jié)的特性。 用射頻濺射(RF)方法在硅襯底上沉積了氮化硼薄膜

2、。系統(tǒng)地研究了襯底溫度、基底偏壓、Si襯底電阻率等多種因素對制備cBN薄膜的影響。用紅外光譜、掃描電鏡及原子力顯微鏡、X射線光電子能譜等對材料的結(jié)構(gòu)、成份等進(jìn)行了表征。在p型單晶Si片上,沉積cBN薄膜,而后用離子注入S摻雜的方法制備出n型BN薄膜,并且研究了BN(n-type)/Si(p-type)異質(zhì)結(jié)的I-V曲線。 基于優(yōu)化的沉積條件,采用兩步沉積方法,制備出立方相含量接近100%的cBN薄膜。實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn),用兩步法制備的c

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論