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1、立方氮化硼(cBN)是一種超硬寬帶隙材料,不僅具有僅次于金剛石的硬度、在高溫下有強(qiáng)的抗氧化能力、不易與鐵族金屬反應(yīng),因此可用于切削工具等,而且,能夠?qū)崿F(xiàn)n型或p型摻雜,在電子學(xué)和光學(xué)器件等方面有著重要的應(yīng)用前景。cBN薄膜的制備和性質(zhì)研究一直是國際材料科學(xué)界的研究熱點(diǎn)和難點(diǎn)之一。本文主要研究了高質(zhì)量半導(dǎo)體cBN薄膜的制備以及BN(n-type)/Si(p-type)異質(zhì)結(jié)的特性。 用射頻濺射(RF)方法在硅襯底上沉積了氮化硼薄膜
2、。系統(tǒng)地研究了襯底溫度、基底偏壓、Si襯底電阻率等多種因素對制備cBN薄膜的影響。用紅外光譜、掃描電鏡及原子力顯微鏡、X射線光電子能譜等對材料的結(jié)構(gòu)、成份等進(jìn)行了表征。在p型單晶Si片上,沉積cBN薄膜,而后用離子注入S摻雜的方法制備出n型BN薄膜,并且研究了BN(n-type)/Si(p-type)異質(zhì)結(jié)的I-V曲線。 基于優(yōu)化的沉積條件,采用兩步沉積方法,制備出立方相含量接近100%的cBN薄膜。實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn),用兩步法制備的c
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