2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體,碳化硅(SiC)具有優(yōu)異的物理及化學(xué)性能,適合制造工作在高溫、高輻射惡劣環(huán)境下的電子器件。其一維、準(zhǔn)一維材料具有許多獨(dú)特的性能,并且在光電子、場發(fā)射器件和微機(jī)械等方面具有極大的應(yīng)用潛能,具有重要的研究價(jià)值。
  本論文采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備SiC薄膜。采用掃描電鏡(SEM)、能譜儀(EDS)、X射線衍射(XRD)以及原子力顯微鏡(AFM)對產(chǎn)物進(jìn)行了表征,對SiC薄膜的生長條件和生長機(jī)理進(jìn)行了初步

2、探索。
  本論文首先采用傳統(tǒng)的“二步工藝”制備了3C-SiC薄膜。系統(tǒng)地研究了工藝參數(shù)對碳化層及SiC薄膜的影響規(guī)律。發(fā)現(xiàn)碳化溫度、碳化時(shí)間、反應(yīng)室氣壓以及基片取向是影響碳化層質(zhì)量的主要因素;碳化層質(zhì)量、C/Si值以及生長溫度對3C-SiC薄膜的質(zhì)量有重要的影響。研究結(jié)果表明:平整、取向一致性好的碳化層、較高的生長溫度、適當(dāng)?shù)腃/Si值以及較小的反應(yīng)氣體流量,均有利于SiC薄膜取向一致性的提高和表面粗糙度的減小。
  為了

3、克服SiC與Si熱脹系數(shù)差異和晶格失配的影響,本論文對傳統(tǒng)的“二步工藝”進(jìn)行改進(jìn),在完成Si表面的碳化處理后增加了熱弛豫和成核兩個(gè)工藝過程,在基片表面形成波紋狀結(jié)構(gòu),然后在“波峰”處成核并進(jìn)行橫向生長形成薄膜。在優(yōu)化條件下,制備的SiC薄膜表面均方根粗糙度減小到了21nm,ω掃描半高寬減小到了1.6°。
  最后本論文嘗試了采用氣-液-固(VLS)工藝生長SiC薄膜。與傳統(tǒng)的氣相生長相比,VLS工藝在生長過程中引入了液相,有利于生

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