2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩50頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、SRAM廣泛地被大部分晶圓代工廠主要使用，用來作為全新引入工藝的工藝調(diào)試以及已經(jīng)投入實(shí)際使用的工藝的工藝監(jiān)控。利用SRAM的可尋址性，可以比較容易地對(duì)失效點(diǎn)進(jìn)行定位，并通過原子力顯微鏡探針(AFP)、掃描電鏡(SEM)等物性失效分析手段來確認(rèn)，分析失效原因，定位到產(chǎn)生失效的工藝步驟并進(jìn)行改進(jìn)。
　　本論文提出了一種SRAM單元失效分析的新方法，這種方法不依賴于物性失效分析手段，而是通過特定測(cè)試流程與DFT電路進(jìn)行電性分析。主要內(nèi)容

2、如下:(1)全面分析了SRAM單元的工作原理與最低電壓失效的機(jī)制。(2)對(duì)最低電壓失效的SRAM單元進(jìn)行了失效建模，并借助DFT電路與特定測(cè)試流程，獲取電性數(shù)據(jù)進(jìn)行失效分析，最終將失效位置定位到了特定晶體管與失效類型。(3)通過對(duì)實(shí)際失效單元進(jìn)行分析，以及將新分析方法所得到的結(jié)果與傳統(tǒng)物性分析（主要為原子探針）所獲數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，驗(yàn)證了新方法的可靠性。
　　與傳統(tǒng)的AFP等物性失效分析手段相比，新的電性分析方法由于受原理所限，其精度

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論