基于March算法的SRAM內(nèi)建自測試設(shè)計與驗證.pdf

1、深亞微米工藝技術(shù)的不斷發(fā)展和人們對數(shù)據(jù)存儲需求的不斷提高，共同促進(jìn)了存儲器技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲器的重要性也越發(fā)顯現(xiàn)。這主要表現(xiàn)為嵌入式存儲器在整個 SoC系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越多，所占比重越來越大。然而，由于嵌入式存儲器往往深嵌在芯片內(nèi)部，與其直接相連的I/O端口很少，很難實現(xiàn)對嵌入式存儲器的直接控制和觀察，大大增加了測試難度；另一方面，隨著工藝尺寸的縮小，芯片上存儲器密度的增加和存儲器本身的復(fù)雜度不斷提高，使得存儲器不斷出現(xiàn)新的故障類型，

2、測試數(shù)據(jù)越來越龐大，極大的增加了測試成本，原始的測試方法已經(jīng)難以應(yīng)對這些新的挑戰(zhàn)。
　　本文討論的存儲器內(nèi)建自測試技術(shù)恰是專門針對于嵌入式存儲器的一種行之有效的測試技術(shù)。存儲器內(nèi)建自測試技術(shù)主要是通過在待測存儲器外圍加入BIST電路，自動實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)的內(nèi)部生成、向量施加和結(jié)果分析，從而達(dá)到在電路內(nèi)部檢測存儲器故障的目的。存儲器內(nèi)建自測試技術(shù)憑借其操作簡單、覆蓋率高、成本低等優(yōu)點成為目前存儲器測試的主流技術(shù)。
　　本文圍繞So

3、C中的嵌入式存儲器內(nèi)建自測試技術(shù)主要完成了以下幾項工作：
　　（1）提出了改進(jìn)的March LR測試算法。通過從測試時間、故障覆蓋率和故障覆蓋范圍三個方面對比分析各種存儲器測試算法的優(yōu)劣，得到最優(yōu)測試算法March LR算法。針對March算法無法覆蓋地址內(nèi)字間故障的缺陷，結(jié)合故障模型的相關(guān)理論知識，提出了改進(jìn)的March LR測試算法。改進(jìn)后的算法在保持對原有故障的覆蓋上，增加了對地址內(nèi)位間故障的覆蓋，提高了故障覆蓋范圍和故障覆

4、蓋率。
　?。?）設(shè)計了以SRAM為待測存儲器，以改進(jìn)的March LR算法為測試算法的存儲器內(nèi)建自測試電路。本文對測試電路的各個組成部分進(jìn)行了模塊化設(shè)計，其中詳細(xì)設(shè)計了作為測試算法硬件實現(xiàn)的內(nèi)建自測試控制器，最后編寫了測試算法自定義文件，應(yīng)用相關(guān)工具進(jìn)行了代碼的生成和插入。
　?。?）設(shè)計了多存儲器的存儲器內(nèi)建自測試電路。在單存儲器內(nèi)建自測電路的基礎(chǔ)上，提出了多存儲器情況下的測試電路設(shè)計方法，集中解決了測試輸入輸出占用引腳