聲子參與的雙勢壘隧穿的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著晶體生長技術的進步和半導體器件尺度的不斷縮小，介觀器件越來越受到研究者的關注。近年來，人們對半導體異質結量子阱中的量子隧穿現(xiàn)象進行了大量的研究，例如GaAs/AlxGa1-xAs型雙勢壘。研究表明非彈性散射對于這些器件中電子的輸運性質具有重要影響，因此近年來越來越受到研究者的重視。
　　 本文選擇使用傳輸矩陣方法來研究聲子輔助隧穿對雙勢壘隧穿的透射率的影響，我們建立的理論模型是在雙勢壘的勢阱中間位置存在聲子散射。首先在電子—

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