基于孔縫優(yōu)化和TVS管寄生參數(shù)補(bǔ)償?shù)腅SD防護(hù)方法研究.pdf

1、隨著電力電子設(shè)備日趨復(fù)雜化，電子設(shè)備中存在的靜電放電(Electro-Static Discharge，ESD)問題逐漸凸顯，并已經(jīng)成為電子設(shè)備及系統(tǒng)的嚴(yán)重威脅。靜電放電具有高電位、強(qiáng)電場、瞬時(shí)大電流的特點(diǎn)，其電流波形的上升時(shí)間小于1ns，所以會(huì)在極短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生很大的電流瞬態(tài)變化率。由于ESD干擾方式的多樣性以及工藝設(shè)計(jì)的局限性，單一的ESD防護(hù)方法難以解決電子設(shè)備的靜電問題。針對上述問題，本文對基于孔縫優(yōu)化和TVS管寄生參數(shù)補(bǔ)償?shù)腅S

2、D防護(hù)方法進(jìn)行研究，主要工作如下:
　　1.分析了人體模型和人體金屬模型，構(gòu)建了ESD發(fā)生器高頻電路模型，提取了放電電路的寄生參數(shù)，研究了放電電流的三種數(shù)學(xué)模型，包括四指數(shù)函數(shù)模型、高斯函數(shù)模型、雙指數(shù)函數(shù)模型，驗(yàn)證了ESD發(fā)生器高頻電路模型。
　　2.基于波導(dǎo)理論分析了孔縫泄漏的影響，分析了孔縫對電磁屏蔽效能的影響，研究了孔縫接地線的干擾機(jī)理，利用Matlab/Simulink建立理想的機(jī)殼屏蔽模型和帶孔隙的機(jī)殼屏蔽模型，

3、通過對模型進(jìn)行仿真研究，提出了孔縫優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。
　　3.研究了TVS管的ESD防護(hù)機(jī)理，基于散射參數(shù)法提取了TVS管的內(nèi)阻抗，建立TVS管高頻寄生參數(shù)模型，提取了TVS管高頻寄生參數(shù)，研究了高頻寄生參數(shù)對TVS管特性的影響，提出了TVS管寄生參數(shù)優(yōu)化的補(bǔ)償方法，通過實(shí)驗(yàn)對補(bǔ)償方法進(jìn)行驗(yàn)證。
　　理論分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本文提出的方法能夠應(yīng)用于復(fù)雜電子設(shè)備的ESD問題中。以上述ESD防護(hù)方法的研究為基礎(chǔ)，解決了智能電表和盆腔