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1、第 1 頁第一章 電磁輻射及材料結(jié)構(gòu)一, 教材習(xí)題1-1 計算下列電磁輻射的有關(guān)參數(shù):(1)波數(shù)為 3030cm-1 的芳烴紅外汲取峰的波長(?m) ;答:已知波數(shù) =3030cm-1 ?依據(jù)波數(shù) 及波長?的關(guān)系 可得: ? ) μm (10000 ) cm ( 1? ? ? ?波長μm 3 . 3 μm 303010000 1 ? ? ? ? ?(2)5m 波長射頻輻射的頻率(MHz) ;解:波長?及頻率?的關(guān)系為 ? ? c ?
2、已知波長?=5m,光速 c≈3×108m/s,1s-1=1Hz則頻率MHz 60 10 60 5/ 10 3 1 68? ? ? ? ? ? s ms m ?(3)588.995nm 鈉線相應(yīng)的光子能量(eV) 。答:光子的能量計算公式為 ? ? c h h E ? ?已知波長?=588.995nm=5.88995?10-7m,普朗克常數(shù) h=6.626×10-34J?s,光速 c≈3×108m/s,1eV
3、=1.602×10-19J則光子的能量(eV)計算如下:1-3 某原子的一個光譜項為 45FJ,試用能級示意圖表示其光譜支項及塞曼能級。答:對于光譜項 45FJ,n=4,L=3,M=5;S=2(M=2S+1=5),則 J=5,4,3,2,1,當(dāng) J=5,MJ=0,±1,±2,···±5;……J=1,MJ=0,±1。光譜項為 45FJ 的能級示意圖如下圖:1-
4、4 辨析原子軌道磁矩, 電子自旋磁矩及原子核磁矩的概念。答:原子軌道磁矩是指原子中電子繞核旋轉(zhuǎn)的軌道運動產(chǎn)生的磁矩;電子自旋磁矩是指電子自旋運動產(chǎn)生的磁矩;原子核磁矩是指原子中的原子核自旋運動產(chǎn)生的磁矩。1-5 下列原子核中,哪些核沒有自旋角動量?12 12C6, 19 19F9, 31 31P15 15, 16 16O8, 1H1, 14 14N7。答:12C6 和 16O8 沒有自旋角動量。1-8 分別在簡單立方晶胞和面
5、心立方晶胞中標(biāo)明(001), (002)和(003)面,并據(jù)此回答:干涉指數(shù)表示的晶面上是否肯定有原子分布?為什么?答:簡單立方晶胞的(001), (002)和(003)面如下圖左, 中, 右所示:(001) (002) (003)如上圖所示,晶面指數(shù)(001)表示的全部晶面上都有原子分布,而干涉指數(shù)(002)表示的晶面中 C面無原子分布,干涉指數(shù)(003)
6、表示的晶面中 C 面和 D 面無原子分布。面心立方晶胞的(001), (002)和(003)面如下圖左, 中, 右所示:(001) (002) (003)如上圖所示,晶面指數(shù)(001)和干涉指數(shù)(002)表示的全部晶面都有原子分布,而干涉指數(shù)第 3 頁圖 3-3 3-3 入射電子束及固體作用產(chǎn)生的放射現(xiàn)象 入射電子束及固體作用產(chǎn)生的放射現(xiàn)象答:圖中 I0 表示
7、入射電子;背散射電子流 IR, 汲取電流 IA 和透射電子流 IT 對應(yīng)入射電子;二次電子流IS, X 射線輻射強度 IX, 表面元素放射總強度 IE 是由電子激發(fā)產(chǎn)生的。3-2 電子“汲取”及光子汲取有何不同?答:電子汲取是指由于電子能量衰減而引起的強度(電子數(shù))衰減的現(xiàn)象。電子汲取只是能量衰減到不能逸出樣品,不是真的被“汲取”了。而光子汲取是因光子的能量及物質(zhì)中某兩個能級差相等而被汲取,光子被真的汲取了,轉(zhuǎn)化成了另外的能量。3
8、-3 入射 X 射線比同樣能量的入射電子在固體中穿入深度大得多,而俄歇電子及 X 光電子的逸出深度相當(dāng),這是為什么?答:入射電子激發(fā)的俄歇電子,只有表面幾個原子層產(chǎn)生的具有特征能量的俄歇電子才能逸出固體表面,被電子能譜儀檢測到。雖然入射 X 射線比同樣能量的入射電子在固體中穿入深度大得多,激發(fā)產(chǎn)生 X光電子的深度也要大得多,但樣品深層激發(fā)的 X 光電子要逸出表面,必定要經(jīng)多次碰撞散射而能量衰減,難以逸出固體表面,因此也只有表面幾個原子層
9、產(chǎn)生的具有特征能量的 X 光電子才能逸出固體表面,從而被電子能譜儀檢測到。加上 X 光電子及俄歇電子的能量差不多,所以它們的逸出深度相當(dāng)。二, 補充習(xí)題1, 簡述電子及固體作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法。答:電子及固體作用產(chǎn)生的信號主要有:背散射電子(彈性背散射電子,非彈性背散射電子) ,二次電子,俄歇電子,透射電子,汲取電子,X 射線(連續(xù) X 射線,特征 X 射線,熒光 X 射線), 表面元素放射等;建立的分析方法主要
10、有:透射電子顯微鏡(簡稱“透射電鏡” ,TEM) ,電子衍射分析(ED) ,掃描電子顯微鏡(簡稱“掃描電鏡” ,SEM) ,電子探針 X 射線顯微分析(簡稱“電子探針” ,EPMA) ,俄歇電子能譜(AES) ,電子能量損失譜(EELS), 電子背散射衍射(EBSD)等?;蛞粤斜硇问剑弘娮蛹肮腆w相互作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法電子及固體相互作用產(chǎn)生的主要信號 建立的主要分析方法或儀器二次電子 SEM 掃描電鏡彈性散射電子LE
11、ED RHEED TEM EBSD低能電子衍射反射式高能電子衍射透射電鏡(含電子衍射)電子背散射衍射非彈性散射電子 EELS 電子能量損失譜電子俄歇電子 AES 俄歇電子能譜特征 X 射線EPMA WDS EDS電子探針,包括:波譜 能譜 光子X 射線的汲?。ɑ蛴杉橙∫穑?XRF CLX 射線熒光 陰極熒光元素 離子, 原子 ESD 電子受激解吸第二章 第二章 電磁輻射及材料的相互作用 電磁輻射及材料的相互作用一, 教材習(xí)題2-
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