光電技術(shù)復(fù)習(xí)資料

1、復(fù)習(xí)提綱：1、說(shuō)明什么是施主雜質(zhì)和n型半導(dǎo)體。2、費(fèi)米分布函數(shù)及其物理意義。3、以光敏電阻作為探測(cè)元件，設(shè)計(jì)光控制電路（如光控自動(dòng)路燈），并簡(jiǎn)要分析其工作原理。4、光敏電阻的工作原理。5、什么是內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)？舉例說(shuō)明。6、簡(jiǎn)要說(shuō)明PN結(jié)光伏效應(yīng)。7、畫(huà)出光敏電阻的結(jié)構(gòu)示意圖，并說(shuō)明理由。8、如何選擇光電導(dǎo)探測(cè)器的負(fù)載電阻？9、設(shè)一維型半導(dǎo)體材料：當(dāng)時(shí)，；當(dāng)時(shí)，n0x?()(0)pxp???x??。列出擴(kuò)散方程，導(dǎo)出光生空穴濃度

2、隨位置的變化關(guān)系。()0px??x10、導(dǎo)出N型半導(dǎo)體受恒定弱光照射后，突然光照停止，材料中非平衡載流子隨時(shí)間的變化關(guān)系11、光照下結(jié)的電流方程，求出開(kāi)路電壓和短路電流。pnocUscI12、光電倍增管，若放大倍數(shù)的穩(wěn)定度為1%，則電源電壓的穩(wěn)定度應(yīng)是多少？（設(shè)K已知）13、磷摻入本征半導(dǎo)體硅中，形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體的雜質(zhì)類(lèi)型和半導(dǎo)體類(lèi)型為14、根據(jù)費(fèi)米分布，能量遠(yuǎn)在費(fèi)米能級(jí)之上的能級(jí)上占有電子和空穴的概率15、已知本征載流子濃度和當(dāng)施主雜

3、質(zhì)濃度，并假定全部電離時(shí)，電子濃度和空穴濃度分別為？16、已知的禁帶寬度為，則其本征吸收的截止波長(zhǎng)為？CdS2.4eV17、光敏電阻的結(jié)構(gòu)及其理由？18、哪些光電探測(cè)器中不含結(jié)的是pn19、與普通光電二極管相比，PIN光電二極管的特點(diǎn)是？20、與普通光電二極管相比，雪崩光電二極管的特點(diǎn)是？21、測(cè)輻射熱電偶的基本原理基于什么效應(yīng)？22、PAL電視制式有哪些規(guī)定？23、像管和像增強(qiáng)器的作用分別是什么？24、設(shè)一維型半導(dǎo)體材料：當(dāng)時(shí)，；當(dāng)時(shí)

4、，n0x?()(0)pxp???x??。列出擴(kuò)散方程，導(dǎo)出光生空穴濃度隨位置的變化關(guān)系。()0px??x25、導(dǎo)出N型半導(dǎo)體受恒定弱光照射后，突然光照停止，材料中非平衡載流子隨時(shí)間的變化關(guān)系26、光照下結(jié)的電流方程，求出開(kāi)路電壓和短路電流。pnocUscI27、光電倍增管，若放大倍數(shù)的穩(wěn)定度為1%，則電源電壓的穩(wěn)定度應(yīng)是多少？（設(shè)K已知）28、光電池的基本原理？29、分析PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?0、說(shuō)明光電二極管的工作原理？31、結(jié)合光照

5、下結(jié)的電流方程，說(shuō)明硅光電池的照度電流電壓特性。pn32、已知太陽(yáng)電池的參數(shù)為：，，要用若干這樣的光電0.54ocUV?50scImA?池組合起來(lái)為、的蓄電池充電，應(yīng)組成怎樣的電路？0.5A6V33、定性解釋金屬、半導(dǎo)體電阻溫度系數(shù)的區(qū)別。34、按照費(fèi)米分布函數(shù)，若某能級(jí)上電子占據(jù)概率為，則空穴占據(jù)概率為？0.235、設(shè)入射光光強(qiáng)為，材料表面的反射率為，吸收系數(shù)為，則距離表面0I0.5?為處的光強(qiáng)為？1?36、已知的禁帶寬度，則其本征吸