納米拋光液

1、納米拋光液與納米級拋光液及其應(yīng)用納米拋光液與納米級拋光液及其應(yīng)用納米級拋光液制備方法：納米級拋光液制備方法：本發(fā)明屬于研磨料技術(shù)領(lǐng)域，由納米級金剛石粉、非離子型分散穩(wěn)定劑、抗靜電劑、凈洗劑、和Ｃ９以下輕質(zhì)白油或石腦油組成，其制備方法為將納米金剛石機(jī)械研磨成粉體，烘干；加入分散穩(wěn)定劑，加熱混合使粉體潤濕；加入白油或石腦油，抗靜電劑，凈洗劑，以及適量pＨ值調(diào)節(jié)劑，并不斷攪拌，將混合物分散成懸浮液。本發(fā)明將產(chǎn)品的表面拋光質(zhì)量提高到亞納米量級，

2、以適應(yīng)于計(jì)算機(jī)磁頭、光學(xué)器件和陶瓷等高精度表面研磨和拋光之用。集成電路銅互連一步化學(xué)機(jī)械拋光工藝及相應(yīng)納米拋光液集成電路銅互連一步化學(xué)機(jī)械拋光工藝及相應(yīng)納米拋光液:一種用于集成電路多層互連結(jié)構(gòu)銅鉭化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的一步拋光工藝技術(shù)及相應(yīng)納米拋光液。對于互連結(jié)構(gòu)的銅鉭多層膜體系的化學(xué)機(jī)械拋光通過本發(fā)明的“一步拋光工藝”單頭拋光機(jī)能夠代替昂貴的多頭拋光機(jī)實(shí)現(xiàn)多層膜的分步拋光。通過化學(xué)機(jī)械拋光過程中多層膜體系界面間在線檢測信號(聲學(xué)、力

3、學(xué)、電學(xué)或光學(xué)信號)差異的反饋對拋光液實(shí)施分段應(yīng)用有效改善了原有的單一拋光液或分步拋光中存在的低速率及選擇性問題。該拋光工藝及相應(yīng)納米拋光液有效改善了單一拋光液的速率問題以單頭拋光機(jī)代替多頭拋光機(jī)降低了設(shè)備成本同時(shí)拋光后表面損傷少、易清洗拋光液不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境。高介電材料鈦酸鍶鋇化學(xué)機(jī)械拋光用的納米拋光液高介電材料鈦酸鍶鋇化學(xué)機(jī)械拋光用的納米拋光液:一種用于半導(dǎo)體器件中高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇(BaxSr1xTiO3BST)化學(xué)

4、機(jī)械拋光(CMP)的納米拋光液。該CMP納米拋光液包含有納米研磨料、螯合劑、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑及溶劑等。該拋光液損傷少、易清洗、不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境主要用于新一代高密度存儲器(DRAM)電容器介電材料及CMOS場效應(yīng)管的柵介質(zhì)——高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇的全局平坦化。利用上述納米拋光液采用化學(xué)機(jī)械拋光方法平坦化高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇拋光后表面的粗糙度降至0.8nm以下拋光速率達(dá)200～300nmmin拋光后表

5、面全局平坦度高損傷較少是制備超高密度動(dòng)態(tài)存儲器(DRAM)及CMOS場效應(yīng)管時(shí)高介電材料平坦化的一高效拋光液。硫系化合物相變材料化學(xué)機(jī)械拋光的納米拋光液及其應(yīng)用硫系化合物相變材料化學(xué)機(jī)械拋光的納米拋光液及其應(yīng)用:一種用于硫系化合物相變薄膜材料GexSbyTe(1xy)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的納米拋光液及該化學(xué)機(jī)械拋光液在制備納電子器件相變存儲器中的應(yīng)用。該CMP納米拋光液包含有氧化劑、螯合劑、pH調(diào)節(jié)劑、納米研磨料、抗蝕劑、表面活性劑及

6、溶劑等。該拋光液損傷少、易清洗、不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境主要用于制造相變存儲器關(guān)鍵材料GexSbyTe(1xy)的CMP。利用上述拋光液采用化學(xué)機(jī)械拋光方法去除多余的相變薄膜材料GexSbyTe(1xy)制備納電子器件相變存儲器方法簡單易行。納米拋光液納米拋光液本公司有多種納米拋光液，有納米氧化鋁拋光液、納米氧化鈰拋光液，納米氧化鋯拋光液、納米氧化鎂拋光液、納米氧化鈦拋光液、納米氧化硅拋光液等。本系列納米拋光液晶相穩(wěn)定、硬度有高有低、適合

7、客戶各種軟硬材料拋光，被廣泛應(yīng)用于催化劑，精密拋光，化工助劑，電子陶瓷，結(jié)構(gòu)陶瓷，紫外線收劑，電池材料等領(lǐng)域。我公司采用先進(jìn)的分散技術(shù)將納米氧化物粉體超級分散形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化[摘要]本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體器件中高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇(BaxSr1xTiO3，BST)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的納米拋光液。該CMP納米拋光液包含有納米研磨料、螯合劑、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑及溶劑等。該拋光液損傷少、易清洗、不

8、腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境，主要用于新一代高密度存儲器(DRAM)電容器介電材料及CMOS場效應(yīng)管的柵介質(zhì)——高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇的全局平坦化。利用上述納米拋光液采用化學(xué)機(jī)械拋光方法平坦化高介電常數(shù)介電材料鈦酸鍶鋇，拋光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，拋光速率達(dá)200～300nmmin；拋光后表面全局平坦度高，損傷較少，是制備超高密度動(dòng)態(tài)存儲器(DRAM)及CMOS場效應(yīng)管時(shí)高介電材料平坦化的一高效拋光液。[A304730019000

9、5]2[摘要]本發(fā)明涉及一種超大規(guī)模集成電路多層布線SiO2介質(zhì)的納米SiO2磨料拋光液。該拋光液的組分及重量％如下：磨料：二氧化硅水溶膠固含量：2045，復(fù)合堿：0.55.5，滲透劑：1.010，表面活性劑：1.010，螯合劑：0.510，余量：去離子水；將上述各組分逐級混合，攪拌均勻即可。該拋光液的配制主要以小粒徑球形納米無定形SiO2水溶膠作為基本磨料，利用氫氧化鉀與多羥多胺有機(jī)堿形成的復(fù)合堿共同調(diào)節(jié)拋光液pH值范圍至10.513

10、.5，且復(fù)合堿中有效成分的水解產(chǎn)物能夠與SiO2介質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，拋光液中的滲透劑與FAO表面活性劑強(qiáng)化拋光液的表面質(zhì)量傳遞作用。該拋光液拋光效率高、周期短、成本低、污染小。[A3047300070006]硫系化合物相變材料化學(xué)機(jī)械拋光的納米拋光液及其應(yīng)用[摘要]本發(fā)明涉及一種用于硫系化合物相變薄膜材料GexSbyTe(1xy)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的納米拋光液及該化學(xué)機(jī)械拋光液在制備納電子器件相變存儲器中的應(yīng)用。該CMP納米拋光液包含

11、有氧化劑、螯合劑、pH調(diào)節(jié)劑、納米研磨料、抗蝕劑、表面活性劑及溶劑等。該拋光液損傷少、易清洗、不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境，主要用于制造相變存儲器關(guān)鍵材料GexSbyTe(1xy)的CMP。利用上述拋光液采用化學(xué)機(jī)械拋光方法去除多余的相變薄膜材料GexSbyTe(1xy)制備納電子器件相變存儲器，方法簡單易行。[A3047300120007]集成電路銅互連一步化學(xué)機(jī)械拋光工藝及相應(yīng)納米拋光液[摘要]本發(fā)明涉及一種用于集成電路多層互連結(jié)構(gòu)銅鉭化

12、學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的一步拋光工藝技術(shù)及相應(yīng)納米拋光液。對于互連結(jié)構(gòu)的銅鉭多層膜體系的化學(xué)機(jī)械拋光，通過本發(fā)明的“一步拋光工藝”，單頭拋光機(jī)能夠代替昂貴的多頭拋光機(jī)，實(shí)現(xiàn)多層膜的分步拋光。通過化學(xué)機(jī)械拋光過程中多層膜體系界面間在線檢測信號(聲學(xué)、力學(xué)、電學(xué)或光學(xué)信號)差異的反饋，對拋光液實(shí)施分段應(yīng)用，有效改善了原有的單一拋光液或分步拋光中存在的低速率及選擇性問題。該拋光工藝及相應(yīng)納米拋光液有效改善了單一拋光液的速率問題；以單頭拋光機(jī)代替

13、多頭拋光機(jī)，降低了設(shè)備成本；同時(shí)拋光后表面損傷少、易清洗，拋光液不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境。[A3047300250008]用于低碳鋼納米壓入試樣的拋光液[摘要]一種用于低碳鋼納米壓入試樣的拋光液，所述拋光液按體積百分比由下述組分組成：SiO2濃度為20～35％的硅溶膠35～50％，胺堿0.07～1.1％，螯合劑0.07～0.35％，表面活性劑0.35～1.4％，氧化劑0.35～1.4％，立方氮化硼CBN濃度為0.1～0.2％的水溶液20～