2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路(IC)特征線寬微細(xì)化進(jìn)程的加快,光刻焦深變得越來(lái)越短,對(duì)IC芯片表面平整度的要求也越來(lái)越苛刻,加之硅片直徑的增大和金屬布線層數(shù)的不斷增加,給化學(xué)機(jī)械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)技術(shù)帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。雖然CMP技術(shù)被認(rèn)為是目前可以兼顧IC芯片全局和局部平整度要求的、最實(shí)用的超大規(guī)模集成電路(ULSI)銅互連層平坦化方法,但由于銅CMP拋光機(jī)理極為復(fù)雜,仍然存在工藝穩(wěn)

2、定性差、成品率和生產(chǎn)率較低等問(wèn)題。在CMP過(guò)程中,銅CMP拋光液對(duì)被加工表面具有化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的雙重作用,對(duì)拋光效果有著重要影響,目前仍存在諸如金屬離子污染、分散性差、堿性環(huán)境下材料去除率低等問(wèn)題。深入研究銅CMP材料去除機(jī)理以及研究和開(kāi)發(fā)更高性能拋光液是解決上述問(wèn)題的有效途徑,也是當(dāng)前CMP技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。 本文以ULSI銅互連層CMP拋光液配方為研究方向,在介紹、分析拋光液的材料去除原理和特點(diǎn)以及總結(jié)已有研究成果的基

3、礎(chǔ)上,將研究定位于堿性銅拋光液,以提高拋光液的材料去除率、降低拋光液中金屬離子含量和提高拋光質(zhì)量為目標(biāo),進(jìn)行了拋光液配方選擇和優(yōu)化方面的研究,找到了較好的拋光液成分和配方,研制出了性能良好的堿性銅拋光液。 本文的研究思路為:首先通過(guò)對(duì)銅CMP機(jī)理的研究,找到影響拋光質(zhì)量的主要因素,并結(jié)合當(dāng)前銅拋光液存在的一些主要問(wèn)題制定拋光液成分選擇和配方優(yōu)化的試驗(yàn)方案。然后,討論了拋光液各成分的作用原理,以UNIPOL1502型研磨拋光機(jī)和C

4、ETR公司CP-4型拋光機(jī)為試驗(yàn)平臺(tái),進(jìn)行了拋光液成分選擇的單因素試驗(yàn),通過(guò)試驗(yàn)選出了較適合ULSI銅互連層拋光的納米磨料、氧化劑、有機(jī)堿、表面活性劑和分散劑等主要成分。接著,以單因素試驗(yàn)選出的主要成分為基礎(chǔ),又進(jìn)行了復(fù)配次序優(yōu)化、工藝參數(shù)和組分優(yōu)化等試驗(yàn),得到了拋光效率較高,性能良好的堿性銅拋光液。 研究成果為提高堿性銅拋光液的拋光質(zhì)量、材料去除率以及改善拋光液性能,提供了比較系統(tǒng)的研究方法和豐富的試驗(yàn)結(jié)論,對(duì)進(jìn)一步完善ULS

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