0.13微米高速手機(jī)芯片upp8m參數(shù)偏移dpse機(jī)理的研究和改進(jìn)

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文0.13微米高速手機(jī)芯片UPP8M參數(shù)偏移（DPSE）機(jī)理的研究和改進(jìn)姓名：顧菁申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：電子與通信工程指導(dǎo)教師：於偉峰20070330摘要本篇論文旨在分析013微米高速手機(jī)芯片UPP8M的產(chǎn)品良率，探討良率損失與HCI的關(guān)系，并通過(guò)改善HCI的可靠性從而提升產(chǎn)品的良率。本篇論文將分成五個(gè)章節(jié)展開討論。第一章簡(jiǎn)要介紹了集成電路的發(fā)展以及產(chǎn)品的分類。第二章的主要內(nèi)容集中在產(chǎn)品的良率分析以及良率損失與HCI

2、的關(guān)系。通過(guò)分析發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)品的良率損失主要來(lái)自于DPSE，由DPSE的測(cè)試方式及器件的襯底電流特性，確認(rèn)HCI是造成DPSE良率損失的原因。在第三章里，將具體介紹產(chǎn)品的工藝流程，詳細(xì)說(shuō)明LDD的離子注入過(guò)程。而在第四章里，就尋找合適的LDD條件改善HCI進(jìn)行討論。通過(guò)TCAD模擬離子濃度分布和電場(chǎng)強(qiáng)度分布方式選擇出合適的5個(gè)實(shí)驗(yàn)條件，分析各實(shí)驗(yàn)條件的電性參數(shù)包括飽和電流(I。。)、閾值電壓(v。)以及襯底電流(IJ，并通過(guò)I。表征HCI進(jìn)

3、行預(yù)判，確認(rèn)條件4[P，40Key，4E13]，條件sip，50Key，4E13]的電性參數(shù)符合器件的要求且有望改善HCI。接著對(duì)條件1(原始條件)、條件4和條件5進(jìn)行HCI壽命測(cè)試，分析數(shù)據(jù)顯示，條件5【P，50Key，4E13]能有效的改善HCI，將HCI由原先的0228年提升到了0525年。然后將條件5運(yùn)用到產(chǎn)品中展開良率分析，結(jié)果表明，條件5[P，50Key，4E13]能有效的降低DPSE的良率損失，從而使產(chǎn)品良率從86％增加到