192路PDP列驅(qū)動芯片關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、等離子體顯示(PDP)是主流平板顯示技術(shù)之一，具有良好的市場前景，是我國重點發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。PDP驅(qū)動芯片是PDP模組的核心元件，實現(xiàn)低壓顯示控制信號到高壓大電流驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)換。PDP驅(qū)動芯片從功能上可以分為列尋址驅(qū)動芯片和行掃描驅(qū)動芯片，在PDP模組中扮演重要角色。由于PDP驅(qū)動芯片直接與顯示屏相連接，其驅(qū)動能力、功耗、可靠性、穩(wěn)定性等參數(shù)指標將直接影響PDP整機的性能。本文重點研究的192路PDP列驅(qū)動芯片關(guān)鍵技術(shù)包括：高壓LEDMOS

2、器件與集成工藝、高壓LEDMOS SPICE建模技術(shù)、低功耗低干擾高壓驅(qū)動電路及其可靠性等。
　　 本文的研究采用理論分析、計算機輔助模擬及實驗驗證相結(jié)合的方法。首先，建立了0.5μm100VPDP列驅(qū)動芯片工藝平臺，并研究了高壓LEDMOS的高溫效應及安全工作區(qū)，提高了集成工藝的兼容性與穩(wěn)定性；在高壓LEDMOS設(shè)計方面，提出了一種低熱載流子退化的階梯柵氧LEDMOS結(jié)構(gòu)，在不增加工藝復雜度的前提下，改善驅(qū)動電流與器件壽命之間

3、的矛盾。其次，在成功設(shè)計高壓器件的基礎(chǔ)上，提出并建立了高壓精度95％的LEDMOS子電路宏模型和精度90％的BSIM3宏模型，其中子電路宏模型的AC仿真精度高，集成準飽和、自熱等高壓LEDMOS特性，而BSIM3宏模型寬度適應性、仿真速度、收斂性等方面具有優(yōu)勢。第三，重點研究了新型高壓驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)及其可靠性，提出了帶緩沖級和低dv/dt高壓驅(qū)動電路，能夠降低芯片自身功耗20％以上，同時分析高壓驅(qū)動電路苛刻的工作條件，研究并改進了PDP系

4、統(tǒng)“浮地”工作方式下高壓驅(qū)動電路引起的閂鎖(Latchup)問題，并通過高壓ESD網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計與研究，解決192路高壓驅(qū)動電路輸出端ESD保護問題。
　　 以上關(guān)鍵技術(shù)的研究獲得國家與國際專利2項授權(quán)，4項受理。在此基礎(chǔ)上，本文完成了192路PDP列驅(qū)動芯片的系統(tǒng)級定義、設(shè)計及模塊化封裝，完成芯片電學功能和可靠性考核驗證，并最終將所設(shè)計的192路PDP列驅(qū)動芯片應用到42英寸PDP模組中。測試表明所設(shè)計的192路PDP列驅(qū)動芯片功