基于TMR效應(yīng)的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元制備工藝研究.pdf

1、磁隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性存儲(chǔ)器,其原理是利用TMR或GMR的高和低兩種電阻穩(wěn)態(tài)進(jìn)行信息的存儲(chǔ)。MRAM作為一種新型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,與其他隨機(jī)存儲(chǔ)器相比具有許多明顯的優(yōu)勢(shì):高的集成度、高速讀取寫入能力、重復(fù)可讀寫次數(shù)近乎無窮大、低功耗和高抗輻射能力以及最為突出的非易失性。它的應(yīng)用會(huì)開啟固態(tài)數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)技術(shù)的新時(shí)代。
　　本文重點(diǎn)研究基于TMR效應(yīng)的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元結(jié)

2、構(gòu)的微納米制備工藝。論文首先介紹了磁隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元功能層材料的選擇,隨后介紹了其存儲(chǔ)單元的常用工藝制備方法,并根據(jù)實(shí)驗(yàn)的需要對(duì)其TMR單元結(jié)構(gòu)加以改進(jìn),設(shè)計(jì)了新的單元結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,并結(jié)合實(shí)驗(yàn)室條件,設(shè)計(jì)了本研究擬采用的工藝制備方法,在經(jīng)過反復(fù)實(shí)驗(yàn)后總結(jié)出最佳工藝制備流程。通過微納米制造平臺(tái)進(jìn)行工藝制備,對(duì)制作出的樣品進(jìn)行物理特性測(cè)試發(fā)現(xiàn)每個(gè)單元都產(chǎn)生了明顯的TMR效應(yīng),且磁阻變化率在9％～17%,測(cè)試結(jié)果表明工藝在實(shí)驗(yàn)上是成功的