動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的BIST設(shè)計研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、DRAM產(chǎn)品被視為半導體工業(yè)的技術(shù)引擎,因此,高質(zhì)量的測試策略顯得尤為重要。BIST(Built-In Self-Test,內(nèi)建自測試)作為一種可以全速測試的DFT(Design For Testability,可測性設(shè)計)解決方案被廣泛應用于存儲器測試。March測試算法因其較高的故障覆蓋率及較低的復雜度而成為存儲器測試的常用算法。
　　本文在認真研究了DRAM故障模型和March算法的基礎(chǔ)上,設(shè)計了兩種指令編碼規(guī)則,一種是為了

2、實現(xiàn)對面向DRAM特有故障的測試算法的編碼,另一種則是為了實現(xiàn)對面向存儲器普通故障的測試算法的編碼。
　　本文設(shè)計了一種基于指令的DRAM BIST控制器,該控制器能夠兼容兩種指令編碼,以滿足對DRAM中特有故障和存儲器普通故障的測試。它有四種工作模式,每種工作模式適合不同的測試要求。
　　為了支持不同算法及不同類型DRAM的測試,本文以DRAM BIST控制器為基礎(chǔ)設(shè)計了一個DRAM BIST IP核自動生成系統(tǒng),該系統(tǒng)能

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