0.11um動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器dram在ic制造之光刻工藝的發(fā)展和研究

1、V182203l後舅大擎碩士學(xué)位論文(專業(yè)學(xué)位)01lum動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)在IC制造之光刻工藝的發(fā)展和研究院系：專業(yè)：姓名：指導(dǎo)教師：完成日期：信息科學(xué)與工程學(xué)院電子與信息工程陳杰劉冉教授，孫紅波高級(jí)經(jīng)理2006年9月20口011um動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)在Ic制造之光刻工藝的發(fā)展和研究復(fù)旦大學(xué)研究生院摘要：隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷深入，我們的生活已經(jīng)進(jìn)入了電子時(shí)代。同時(shí)我們也正經(jīng)歷著一場叛的技術(shù)革命，而這場技術(shù)革命的原動(dòng)力正

2、是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷創(chuàng)新，推動(dòng)創(chuàng)新的就是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝的不斷提升。為了描述微電子學(xué)的進(jìn)展，比較容易的是去跟蹤嗣一種類型的芯片。存儲(chǔ)器芯片多年來一直具有基本相同的功能，使這類分析具有具體意義。而且，它們極其規(guī)則并被大量銷售，使針對(duì)這一芯片設(shè)計(jì)的專門工藝十分經(jīng)濟(jì)。因此，存儲(chǔ)器芯片在所有的集成電路中密度最高。目前，國際上的半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入了納米時(shí)代，世界級(jí)的制造大廠已經(jīng)進(jìn)入了90nm工蕊的大量生產(chǎn)階段。同時(shí)正朝著65nm的工藝前進(jìn)。

3、而我國目前最先進(jìn)的鬃產(chǎn)工藝剛岡4進(jìn)入HOnm時(shí)代。因此，本文研究的主要內(nèi)容是O1lm動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAh0芯片在Ic制造之光刻工藝。主要的目的有以下幾點(diǎn)：1對(duì)Ic制造的光刻工藝的原理班及應(yīng)用傲詳細(xì)的分析。2對(duì)用于O1lum光刻鋁4造的關(guān)聯(lián)設(shè)備的性能和工藝參數(shù)傲了詳細(xì)的分析。在≯01lum動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器柵極的光刻工藝作為研究內(nèi)容找到最合適的光刻膠(光阻)。／4籀過對(duì)FAB環(huán)境的控制和相關(guān)的光學(xué)檢測(cè)來減少193nm波長的曝光機(jī)所、一／用