非對稱納米接觸相變存儲器單元制備工藝研究.pdf

1、相變存儲器具有非易失性、存儲密度高、擦寫速度快、可靠性高、抗輻射等性能優(yōu)勢，被認為最有可能取代Flash成為下一代主流非易失性存儲器。對于相變存儲器來說，目前影響其發(fā)展的最大瓶頸即編程脈沖過大，導致器件功耗過大。因此，研究如何減小相變存儲器的編程脈沖就顯得非常重要。本文從相變存儲器器件結構出發(fā)，通過對相變存儲器工藝的研究，成功制備出一種非對稱納米接觸相變存儲器單元，其相對于傳統(tǒng)T型結構能有效地減小相變存儲器單元的編程脈沖。
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2、文首先研究了傳統(tǒng)T型結構相變存儲器單元的制備工藝，運用Lift-off工藝，通過光刻、濺射、剝離等工藝手段，成功制備出特征尺寸為3μm的T型結構相變存儲器單元。同時基于對傳統(tǒng)T型結構的優(yōu)化和改進，結合非對稱結構，創(chuàng)新性地提出一種非對稱納米接觸結構，并完成其單元的制備，成功將相變存儲器單元下電極與相變材料的接觸線寬減小至24.1nm，極大地減小了下電極與相變材料的接觸面積。對 T型及非對稱納米接觸兩種結構相變存儲器單元的測試表明，非對稱納