相變存儲(chǔ)器測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)的研究.pdf

1、相變存儲(chǔ)器是利用脈沖電流的熱效應(yīng)使其記錄層發(fā)生具有巨大阻值差異的可逆結(jié)構(gòu)相變來記錄和擦除數(shù)據(jù)。它具有非易失性、快擦寫速度、高可靠性、低功耗、長壽命、制作工藝簡(jiǎn)單和與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，被視作為目前最有可能成為下一代存儲(chǔ)器的主流產(chǎn)品。近幾年相變存儲(chǔ)器在記錄材料、微制造工藝和器件性能上取得了迅猛的發(fā)展，然而關(guān)于相變存儲(chǔ)器的測(cè)試技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)卻沒有得到足夠的重視，目前國內(nèi)外也沒有一個(gè)完整的相變存儲(chǔ)器測(cè)試方法。
　　 本文著重全面描述和

2、比較相變存儲(chǔ)單元的基本電性能表征和測(cè)試方法，并詳細(xì)地闡述測(cè)試系統(tǒng)的搭建、相變存儲(chǔ)芯片的封裝技術(shù)以及芯片功能測(cè)試等內(nèi)容。表征相變存儲(chǔ)器單元電特性的主要參數(shù)包括晶態(tài)電阻、非晶態(tài)電阻、直流I-V特性、脈沖I-V特性、寫脈沖與非晶化程度的關(guān)系、擦脈沖與晶化程度的關(guān)系、數(shù)據(jù)保持力以及擦寫壽命等。選擇高性能的探針臺(tái)、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀、高頻示波器和DUT等配置搭建一個(gè)多功能的高精度的相變存儲(chǔ)單元電性能測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)上述表征參數(shù)的測(cè)量與分析，并分析了