2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、相比于其他非易失性存儲(chǔ)器，高密度、低功耗和高速擦寫是相變存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)。對(duì)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試是了解其特性的有效方法，在相變存儲(chǔ)器的測(cè)試中，常使用電壓或者電流來(lái)測(cè)量其特征參數(shù)。然而，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，測(cè)量某些參數(shù)時(shí)由于電壓和電流的選擇不當(dāng)常常導(dǎo)致特征參數(shù)測(cè)量不準(zhǔn)確，甚至損壞器件。因此分析相變存儲(chǔ)器測(cè)試時(shí)使用電流和電壓激勵(lì)的差異更有利于研究PCRAM的特性。
　　本論文主要研究電壓和電流激勵(lì)下相變存儲(chǔ)器的特性。介紹了利用4200-SCS

2、半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)，示波器和具有選址功能的芯片外圍測(cè)試電路板所組成的相變存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)，以及相變存儲(chǔ)器的各種建模方法。利用相變存儲(chǔ)器的HSPICE模型結(jié)合仿真控制程序?qū)崿F(xiàn)PCRAM在連續(xù)擦寫測(cè)試中的熱量累積仿真。根據(jù)相變存儲(chǔ)器的特性，利用4200-SCS的4205-PG2脈沖發(fā)生模塊和AD9665激光二極管驅(qū)動(dòng)芯片搭建脈沖幅值和脈沖寬度可調(diào)的脈沖電流源，以實(shí)現(xiàn)對(duì)相變存儲(chǔ)器的電流測(cè)試。
　　使用相變存儲(chǔ)器的電學(xué)模型和實(shí)驗(yàn)研究相變單元

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