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文檔簡介
1、隨著工藝尺寸和電源電壓的減小，靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）節(jié)點上存儲的電荷以二次方的速率減少，從而導(dǎo)致發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的幾率增大，嚴重的影響著存儲器的可靠性?？臻g輻射會對空間飛行器造成明顯的破壞，研究探索半導(dǎo)體器件電路抗輻射損傷效應(yīng)和機理，提高其抗輻射水平是近年國內(nèi)外微電子學(xué)領(lǐng)域十分重視的課題之一。因此抗輻射電子學(xué)己逐步成為一門綜合性很強的邊緣學(xué)科并發(fā)揮著愈來愈重要的作用。外太空輻射環(huán)境主要以三種方式影響CMOS器件：總劑量輻射效應(yīng)、單粒子
2、翻轉(zhuǎn)效應(yīng)和單粒子閂鎖效應(yīng)。
本文首先深入分析了抗輻射加固技術(shù)及其性能，在研究靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)上采用一種存儲單元叫做雙向互鎖存單元(DICE)，可以實現(xiàn)抗單粒子翻轉(zhuǎn)從而避免了6管存儲單元無法抗單粒子翻轉(zhuǎn)的缺點。這種新穎的存儲單元對于晶體管的尺寸沒有特別的要求，和6管存儲單元相比面積增加100％，存儲單元靜態(tài)功耗為1.0345nW，但需要增加字線驅(qū)動能力因此動態(tài)功耗會增加。
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