鎳-銅基薄膜的可控制備與應(yīng)用研究.pdf

1、探索廉價(jià)清潔的光伏材料、嘗試新的太陽(yáng)能電池柵線制備工藝，對(duì)于提高太陽(yáng)能電池效率、降低生產(chǎn)成本有重要影響。電化學(xué)沉積法工藝簡(jiǎn)單、成本低、制備的薄膜純度高，是一種較為理想的材料沉積方法。本文主要以電化學(xué)沉積法為核心，做了以下幾方面工作:
　　1、嘗試采用兩電極電化學(xué)沉積方法，調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，在ITO基底上制備Cu2O薄膜，并對(duì)結(jié)果進(jìn)行表征，獲得了兩電極電化學(xué)沉積法制備Cu2O薄膜的最佳PH值與沉積電位范圍，此外，還分析了不同沉積電位對(duì)薄

2、膜形貌的影響。
　　2、在電化學(xué)沉積方法的基礎(chǔ)上，去除外界電源系統(tǒng)，化學(xué)液相沉積Ni薄膜，討論了沉積溫度等相關(guān)因素對(duì)薄膜成分與形貌的影響，分析了Ni薄膜的生長(zhǎng)過程。
　　3、利用電化學(xué)沉積法，分別采用硫酸銅電解液體系和乙酸銅電解液體系制備Cu薄膜，并對(duì)其影響因素進(jìn)行討論。實(shí)驗(yàn)測(cè)得Cu薄膜的電阻率為1.87×10-8Ω·m，方塊電阻非均勻性為2.64％。
　　4、以電化學(xué)沉積方法為基礎(chǔ)，額外增加光照，即光誘導(dǎo)液相沉積(L