硅基銅薄膜制備及其激光沖擊改性研究.pdf

1、江蘇大學碩士學位論文硅基銅薄膜制備及其激光沖擊改性研究姓名：牛忠秀申請學位級別：碩士專業(yè)：機械制造及其自動化指導教師：陳瑞芳20100604江蘇大學碩士學位論文但隨著溫度繼續(xù)升高到300℃時，其硬度和彈性模量值反而下降。在濺射氣壓為05Pa時，Cu薄膜的硬度和彈性模量比較穩(wěn)定。電阻率P隨著濺射功率的增加減小；由于基片溫度“結構區(qū)域模型’’的影響，Cu薄膜電阻率P在基片溫度T150。C時逐漸減小，而在基片溫度150℃T300℃時，電阻率P

2、又開始增加，但增加的幅度不是很大。T增加到400。C，電阻率p發(fā)生了反常增大；在O15～2Pa范圍內，銅薄膜的電阻率的增加是隨著氬氣的壓強增加而增加。利用優(yōu)化的激光沖擊處理工藝對沉積在單晶Si基片上的Cu薄膜進行了沖擊強化處理。實驗結果表明：Cu薄膜經(jīng)過激光沖擊后，薄膜的表面發(fā)生了塑性變形，組織結構變得更致密，粗糙度明顯降低了。納米壓痕儀的測試結果顯示薄膜的力學性能都得到不同程度的提高，其中硬度和彈性模量值分別提高，最大提高了10658