功率GaAs HBT結(jié)構(gòu)參數(shù)及鎮(zhèn)流電阻對(duì)其熱穩(wěn)定性影響的研究.pdf

1、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）在通訊、雷達(dá)、功率放大器和微波振蕩器等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，輸出功率高，高頻特性優(yōu)異，線性度寬和效率高，由于這些優(yōu)點(diǎn)，HBT扮演著越來(lái)越重要的角色。然而芯片的尺寸不斷變小，導(dǎo)致了熱阻的不斷變大，繼而加劇了自加熱效應(yīng)和熱耦合效應(yīng)的影響，嚴(yán)重限制了HBT高功率處理能力。
　　為了很好的發(fā)揮HBT的功率處理能力，消除自加熱和熱耦合效應(yīng)，使器件能夠熱穩(wěn)定，本文研究了自加熱和熱耦合效應(yīng)及補(bǔ)償方法，討論了通過(guò)HBT本身設(shè)

2、計(jì)和優(yōu)化鎮(zhèn)流電阻的方法來(lái)提高熱穩(wěn)定性。本課題的研究工作對(duì)微波功率GaAs HBT的應(yīng)用具有一定的理論和實(shí)用價(jià)值。本論文主要工作包括:
　　(1)根據(jù)穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo)方程，建立了多發(fā)射極GaAs HBT三維熱傳導(dǎo)模型，得到芯片表面的穩(wěn)態(tài)溫度場(chǎng)分布，基于Sivaco TCAD仿真平臺(tái)，模擬了多發(fā)射極GaAs HBT器件的熱特性，討論了GaAs HBT表面溫度分布的影響因素。
　　(2)從非均勻發(fā)射極指間距、非均勻發(fā)射極指長(zhǎng)、非均勻發(fā)射