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1、具有多凹陷源具有多凹陷源漏漂移區(qū)漏漂移區(qū)的4HSiCMESFETs設(shè)計與仿真計與仿真作者姓名作者姓名裴曉延裴曉延導師姓名、職稱導師姓名、職稱賈護軍副教授賈護軍副教授一級學科一級學科電子科學與技術(shù)電子科學與技術(shù)二級學科二級學科微電子學與固體電子學微電子學與固體電子學申請學位類別申請學位類別工學碩士工學碩士提交學位論文日期提交學位論文日期20142014年1111月107011070112111227271211122727TN82TN82
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