硅肖特基源漏MOSFET的模擬研究.pdf

1、本文對硅基肖特基源漏MOSFET(簡稱SBSD-MOSFET)進行模擬研究.SBSD-MOSFET用肖特基接觸代替了pn結來做MOSFET的源漏區(qū).這種結構器件能有效降低困擾常規(guī)MOSFET的短溝效應和寄生的雙極效應,能大幅度減小器件尺寸.其制備工藝簡單,避免了離子注入工藝和退火步驟.首先,文中分析了SBSD-MOSFET的電流輸運機制.根據其結構特點,我們可以將其看作是兩個背靠背的肖特基二極管.源漏區(qū)肖特基接觸界面的特性和常規(guī)肖特基二

2、極管相似,電流的輸運主要以熱電子發(fā)射和隧道效應為主.其次,本文通過二維模擬軟件DESSIS模擬了體硅SBSD-MOSFET的基本伏安特性,模擬結果顯示,體硅SBSD-MOSFET有著較大的反柵壓泄漏電流,而反柵壓泄漏電流包括兩部分:來自源結的熱發(fā)射泄漏電流與來自漏結的隧穿泄漏電流.最后,我們的模擬發(fā)現(xiàn),普通SOI結構SBSD-MOSFET能有效阻擋來自源結的熱電子發(fā)射泄漏電流,但仍不能阻擋來自漏結的隧穿泄漏電流.為此本文給出一種側墻不對