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文檔簡介
1、氮化鎵(GaN)基寬禁帶半導(dǎo)體材料是制備高溫、高功率、高頻電子器件以及發(fā)光管、紫外探測器等光電子器件的重要材料。GaN基發(fā)光管在節(jié)約能源方面有著巨大的應(yīng)用前景，而使用GaN基半導(dǎo)體光子探測器代替真空管進(jìn)行紫外探測，也有其重大的應(yīng)用背景。 本文以提高GaN器件性能所面臨的主要問題和難點(diǎn)為出發(fā)點(diǎn)，致力于應(yīng)用肖特基器件的數(shù)值模擬對器件的電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行分析和優(yōu)化。具體內(nèi)容如下： 1.對不同界面層厚度的電學(xué)特性進(jìn)行模擬仿真，分析界面
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