新型半導(dǎo)體氮化銦薄膜的晶格振動研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文的主要內(nèi)容為新型半導(dǎo)體氮化銦(InN)薄膜的晶格振動(聲子)特性研究.InN在光電子和微電子器件領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景,其光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)研究顯得非常重要,而晶格振動是其中的重要組成部分.首先介紹了半導(dǎo)體晶格振動研究的基本實驗方法,即Raman散射和紅外光譜的基本原理,并簡單介紹了所用儀器和裝置.繼而對InN晶格振動研究的現(xiàn)狀作了一個綜述,總結(jié)了現(xiàn)有的關(guān)于InN的聲子結(jié)構(gòu)、電子激發(fā)態(tài)與晶格振動互作用、與InN相關(guān)的合金InGaN、InA

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