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1、該文首先對半導(dǎo)體納米材料量子限域特性進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,介紹了淀積Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體薄膜材料的各種技術(shù),并詳細(xì)地研究了研究人員實驗所采用的射頻共濺射技術(shù).其次,對GaAs(或InP)晶粒鑲嵌在a-SiO<,2>的復(fù)合薄膜的制備與表征進(jìn)行了研究.采用復(fù)合靶共濺射技術(shù)來制備GaAs(或InP)晶粒鑲嵌在a-SiO<,2>的復(fù)合薄膜,通過控制淀積時基片的溫度,調(diào)節(jié)靶面GaAs(或InP)的百分比,來制備不同晶粒尺度與體積百分比的薄膜.XRD和XPS
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