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1、北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文電沉積法制備硫錫半導(dǎo)體納米棒網(wǎng)絡(luò)薄膜及其性能表征姓名：陳斌申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師：王峰20100601北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文對(duì)退火前后的薄膜進(jìn)行的光電性能表征表明，Sn2S3半導(dǎo)體薄膜退火前的光學(xué)帶隙為187eV，半導(dǎo)體類型為P型，而退火后薄膜的光學(xué)帶隙變?yōu)?65eV，半導(dǎo)體類型變?yōu)閚型；SnS半導(dǎo)體薄膜退火前的光學(xué)帶隙為175eV，半導(dǎo)體類型為n型，退火后薄膜的光學(xué)帶隙變?yōu)?54eV，
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