新型半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文新型半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)研究姓名：王凱申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：沈文忠2003.2.1摘 要 發(fā)現(xiàn)交流電導(dǎo)隨溫度變化的規(guī)律反映了大極化子隧穿機(jī)制，而電容與溫度的變化在不同頻率段的復(fù)雜關(guān)系主要是由量子點(diǎn)能級和非晶界面區(qū)上的局域態(tài)之間對載流子充放電的競爭決定的。 對于用分子束外延技術(shù)生長的不同組分 Sr 的 PbSrSe 薄膜材料， 我們詳細(xì)研究了在常溫下電容與偏壓和頻率的變化關(guān)系。通過利用晶界勢壘

2、模型，我們很好地解釋了電容與偏壓、頻率和 Sr 組分的關(guān)系。對于不同 Sr 組分的樣品，我們在不同的偏壓和頻率條件下都觀察到了負(fù)電容效應(yīng)，這其實(shí)是由少數(shù)載流子在晶界處的積累造成的。另外，用晶界勢壘模型我們還成功解釋了不同 Sr 組分下的暗電流的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，這也進(jìn)一步證實(shí)了我們的理論模型的正確性。 以上的研究得到了國家自然科學(xué)基金（10125416 和 60006005）以及教育部優(yōu)秀青年教師教學(xué)與科研獎勵基金的資助，特此感謝！ 關(guān)鍵字：電