Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米材料非線性光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

1、由于量子限域效應(yīng)、表面效應(yīng)和局域場效應(yīng)，半導(dǎo)體納米材料具有比體材料大得多的三階非線性極化率和快的時間響應(yīng)，成為人們研究的熱點非線性光學(xué)材料之一。本論文主要研究了這三種效應(yīng)對半導(dǎo)體納米材料三階非線性光學(xué)特性的作用，并探究了其物理模型。
　　為了研究量子限域效應(yīng)，我們系統(tǒng)地測量了23個不同尺寸CdSe量子點的三階非線性極化率，發(fā)現(xiàn)量子限域增強(qiáng)了量子點內(nèi)雙激子的振子強(qiáng)度，并引發(fā)表面重構(gòu)，這兩個因素導(dǎo)致了量子點三階非線性極化率的增強(qiáng)，且C

2、dSe量子點的三階非線性極化率有最大值存在。
　　為了探究表面效應(yīng)，我們系統(tǒng)地測量了10個不同表面狀態(tài)的CdSe量子點的雙光子吸收截面和非線性折射率，發(fā)現(xiàn)表面缺陷態(tài)密度的增多將量子點的三階非線性顯著降低，這是表面無輻射缺陷減弱了雙激子振動強(qiáng)度和固有偶極矩所致。
　　為了研究局域場效應(yīng)，我們系統(tǒng)地測量了6種殼厚度不同的CdSe/CdS量子點的雙光子吸收截面和非線性折射率，發(fā)現(xiàn)CdS包層形成的局域場明顯增強(qiáng)了CdSe裸核的光學(xué)非