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1、納米GaP是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來,由于在發(fā)光、顯示和光電探測等方面潛在的應(yīng)用前景,納米GaP材料日益受到各國研究人員的重視.本文在苯熱法合成納米GaP材料的基礎(chǔ)上,對納米GaP材料的微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)與光催化性質(zhì)進(jìn)行了研究.主要工作包括:確定了納米GaP材料的晶胞常數(shù)和平均晶粒粒徑;利用電子順磁共振(EPR)方法分析了納米GaP材料的點缺陷.系統(tǒng)研究了納米GaP材料對光的吸收、發(fā)射以及散射等性質(zhì),結(jié)果表明,與常規(guī)GaP晶體相比,納米
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