Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米復(fù)合發(fā)光材料的研究.pdf

1、該論文主要研究?jī)?nèi)容如下：1.首先合成了不同粒度的ZnS、CdS納米晶,并研究了不同組成的Zn<,1-x>Cd<,x>S納米晶的發(fā)光性質(zhì),得到了不同于文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.隨著Cd含量的增加,發(fā)射光譜移向低能量方向,發(fā)射光譜的位置及強(qiáng)度均發(fā)生改變.2.首次研究了Co<'2+>、Co<'3+>、Ti<'4+>、Ni<'2+>離子摻雜的ZnS納米晶的發(fā)光性質(zhì),并討論了不同離子在ZnS納米晶中的發(fā)光機(jī)理.3.首次利用均勻化學(xué)共沉淀法合成了Cu<'

2、2+>離子分別和稀土金屬離子、Co<'2+>、Fe<'3+>、Mn<'2+>、In<'3+>、Pb<'2+>、Cd<'2+>共摻雜以及Ni<'2+>和Mn<'2+>離子共摻雜的ZnS納米晶,并研究了它們的發(fā)光性質(zhì),得到了一系列創(chuàng)新性成果.4.首次把Tb<,2>S<,3>、Ti<,2>S<,3>、NiS、PbS納米晶引入sol-gel 該論文主要研究?jī)?nèi)容如下：1.首先合成了不同粒度的ZnS、CdS納米晶,并研究了不同組成的Zn<,1-x>

3、Cd<,x>S納米晶的發(fā)光性質(zhì),得到了不同于文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.隨著Cd含量的增加,發(fā)射光譜移向低能量方向,發(fā)射光譜的位置及強(qiáng)度均發(fā)生改變.2.首次研究了Co<'2+>、Co<'3+>、Ti<'4+>、Ni<'2+>離子摻雜的ZnS納米晶的發(fā)光性質(zhì),并討論了不同離子在ZnS納米晶中的發(fā)光機(jī)理.3.首次利用均勻化學(xué)共沉淀法合成了Cu<'2+>離子分別和稀土金屬離子、Co<'2+>、Fe<'3+>、Mn<'2+>、In<'3+>、Pb<'2

4、+>、Cd<'2+>共摻雜以及Ni<'2+>和Mn<'2+>離子共摻雜的ZnS納米晶,并研究了它們的發(fā)光性質(zhì),得到了一系列創(chuàng)新性成果.4.首次把Tb<,2>S<,3>、Ti<,2>S<,3>、NiS、Ti<,2>S<,3>、NiS、PbS納米晶摻雜試樣SiO<,2>干凝膠中,得到不同粒度、均勻分布的納米晶摻雜試樣.5.有機(jī)發(fā)光材料與Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米晶復(fù)合是目前的研究熱點(diǎn)之一,該文中,利用簡(jiǎn)單的化學(xué)合成方法合成了ZnS納米晶與有機(jī)生色團(tuán)

5、分子組成的納米復(fù)合發(fā)光材料,它們不僅有新的發(fā)射光譜,而且顯示很高的相對(duì)熒光強(qiáng)度,這些性質(zhì)對(duì)發(fā)光材料的實(shí)際應(yīng)用及理論研究都是非常有價(jià)值的.ZnS/Dye1、ZnS/Dye2、ZnS/Dye3、ZnS/Dye4、ZnS/Dye5復(fù)合試樣的發(fā)射光譜均顯示一個(gè)對(duì)稱的峰形,最大發(fā)射波長(zhǎng)分別是：600、605、595、600、625nm,其中ZnS/Dye4的熒光強(qiáng)度約是純ZnS納米晶的確倍,約為Dye4的22倍,顯然,這種新的發(fā)光源于ZnS和Dy