深亞微米槽柵MOS器件的理論及實驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、西安電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文深亞微米槽柵MOS器件的理論及實驗研究姓名：張曉菊申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：郝躍20060401深亞微米槽柵MOs器件的理論及實驗研究留凹槽內(nèi)的多晶硅作為柵電極。工藝分析得知，拋光后所得器件源、漏區(qū)的覆蓋面積明顯減小，覆蓋電容也較小。槽柵MOS器件主要性能(包括器件的閾值電壓、跨導(dǎo)、亞閾斜率、輸出特性以及可靠性相關(guān)的應(yīng)力退化特性等)的測試結(jié)果表明，槽柵工藝制備的MOS器件具有與平面

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